图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 60 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 300mV @ 200mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 160 @ 2A, 1V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-126 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 5 A |
| 最小直流电流增益 | 160@2A@1V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@0.2A@2A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1300 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-225-AA |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1300 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | TO-126 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 5A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 200mA, 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-126 |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 160 @ 2A, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 7 V |
| 零件号别名 | KSB1151YSTSTU_NL |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 单位重量 | 0.026738 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.14 V |
| 系列 | KSB1151 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 60 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 身高 | 1.5 mm |
| 宽度 | 3.25 mm |
| 长度 | 8 mm |
| Pd - Power Dissipation | 20 W |
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